Toshiba ने रिलीज़ किए 600V सुपर जंक्शन स्ट्रक्चर N-चैनल पॉवर MOSFET जो पॉवर सप्लाय की कार्यक्षमता में सुधार लाने में सहायता करते हैं

Business Wire India

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ने अपने N-चैनल पॉवर MOSFET के लाइन अप का विस्तार किया है जिसका फैब्रिकेशन नवीनतम –जनरेशन ^[1] प्रक्रिया के साथ किया गया है, डाटा सेंटर के लिए योग्य एक 600V सुपर जंक्शन स्ट्रक्चर, स्विचिंग पॉवर सप्लाय और फोटोवोल्टेक जनरेटर्स के लिए पॉवर कंडीशनर्स के साथ। नया उत्पाद, " TK055U60Z1," DTMOSVI सीरीज़ में पहला 600V उत्पाद है। इसकी डिलीवरी आज से शुरू हो रही है।

इसी तरह के ड्रेन सोर्स वोल्टेज रेटिंग वाले Toshiba के वर्तमान जनरेशन DTMOSIV-H सीरीज़ के उत्पादों की तुलना में गेट डिज़ाइन और प्रक्रिया का इष्टमीकरण करके 600V DTMOSVI सीरीज़ उत्पाद ड्रेन सोर्स ऑन रेसिस्टेंस प्रति यूनिट एरिया में करीब 13%, और ड्रेन सोर्स ऑन रेसिस्टेंस x गेट ड्रेन चार्ज, MOSFET के लिए मेरिट का आंकड़ा, में करीब 52% की कमी लाते हैं। इससे यह सुनिश्चित हो जाता है कि सीरीज़ कम कंडक्शन नुकसान और कम स्विचिंग नुकसान दोनों हासिल कर सके, और स्विचिंग पॉवर सप्लाय की कार्यक्षमता सुधारने में सहायता प्राप्त होती है।

नए उत्पाद को TOLL पैकेज में रखा गया है जो गेट ड्राइव के लिए अपने सिग्नल सोर्स टर्मिनल के केल्विन कनेक्शन को संभव बनाता है। MOSFET के हाइ-स्पीड स्विचिंग परफॉर्मेंस पर ज़ोर देने के लिए पैकेज में सोर्स वायर में इंडक्टेंस के प्रभाव को कम किया जा सकता है, जो स्विचिंग के दौरान दोलन (ऑसिलेशन) को रोकने का काम करता है।

Toshiba अपने 600V DTMOSVI सीरीज़ लाइन-अप का विस्तार करना जारी रखेगी और इसने पहले ही 650V DTMOSVI सीरीज़ उत्पादों को रिलीज़ कर दिया है और स्विचिंग पॉवर स्पलाय में पॉवर लॉस में कमी लाकर ऊर्जा संवर्धन में सहायता करेगी।

नोट:
[1] जून 2023 तक के अनुसार।

एप्लिकेशन्स

• डाटा सेंटर (सर्वर्स इत्यादि के लिए स्विचिंग पॉवर सप्लाय)
• फोटोवोल्टेक जनरेटर्स के पॉवर कंडीशनर्स
• अबाधित पॉवर सिस्टम्स

विशेषताएं

• कम ड्रेन सोर्स ऑन रेसिस्टेंस x गेट ड्रेन चार्ज हासिल करता है और उच्च कार्यक्षमता वाली स्विचिंग पॉवर सप्लाय सक्षम बनाता है

 

प्रमुख स्पेसिफिकेशन्स
(Ta=25°C जब तक कोई अन्य विनिर्दिष्ट न हो)
पुर्जा क्रमांक				TK055U60Z1
परम अधिकतम रेटिंग्ज़	ड्रेन सोर्स वोल्टेज VDSS (V)			600
	ड्रेन करंट (DC) ID (A)			40
	चैनल तापमान Tch (°C)			150
ईलेक्ट्रिकल विशेषताएँ	ड्रेन सोर्स ऑन-रेसिस्टेंस RDS(ON) (mΩ)	VGS=10V	अधिकतम	55
	कुल गेट चार्ज Qg (nC)		टाइप.	65
	गेट-ड्रेन चार्ज Qgd (nC)		टाइप.	15
	इनपुट कैपेसिटेंस Ciss (pF)		टाइप.	3680
पैकेज	नाम			TOLL
	आकार (mm)		टाइप.	9.9×11.68, t=2.3
नमूने की जाँच और उपलब्धता				Buy Online (ऑनलाइन खरीदें)

नए उत्पाद पर अधिक जानकारी के लिए नीचे दी गई लिंक फॉलो करें।
TK055U60Z1

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MOSFETs

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TK055U60Z1
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Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation के बारे में

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, एडवांस्ड सेमीकंडक्टर और स्टोरेज सॉल्यूशन्स की एक अग्रणी आपूर्तिकर्ता कंपनी, जिसे ग्राहकों और बिज़नेस भागीदारों को बेहतरीन व अलग सेमीकंडक्टर्स, सिस्टम LSI और HDD उत्पाद पेश करने और नवाचार का 50 वर्षों से अधिक का अनुभव है।
दुनियाभर में फैले कंपनी के 21,500 कर्मचारी उत्पाद मूल्य को अधिकतम करने, और मूल्य और नए बाज़ारों के सह-निर्माण में ग्राहकों के साथ करीबी भागीदारी को बढ़ावा देने के संकल्प को साझा करते हैं। 800-बिलियन येन (6.1 बिलियन अमेरिकी डॉलर्स) से अधिक की वार्षिक बिक्री के साथ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation सभी जगहों में लोगों के लिए एक बेहतर भविष्य का निर्माण करने और इस दिशा में योगदान देने की उम्मीद करती है।
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स्त्रोत: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation